Jurnal SINTA 1
Reliability of graphene as charge storage layer in floating gate flash memory
Indonesian Journal of Electical Engineering and Informatics (IJEEI) · Vol. 7 No. 2 (2019) · hlm. 331–337
- ISSN
- 2089-3272, 2089-3272
- Terbit
- 2019-05-20
- Penerbit
- IAES Indonesian Section
- Bahasa
- en
Abstrak
This study aims to investigate the memory performances of graphene as a charge storage layer in the floating gate with difference doping concentration of n-channel and p-channel substrates using Silvaco ATLAS TCAD Tools. The simulation work has been done to determine the performance of flash memory in terms of memory window, P/E characteristics and data retention and have been validated with the experimental work done by other researchers. From the simulation data, the trend of memory window at low P/E voltage is nearly overlapped between simulation and experimental data. The memory window at ±20V P/E voltage for n-channel and p-channel flash memory cell are 15.4V and 15.6V respectively. The data retention for the n-channel flash memory cell is retained by 75% (from 15.4V to 11.6V) whereas for the p-channel flash memory cell is retained by 80% (from 15.6V to 12.5V) after 10 years of extrapolation with -1/1V gate stress which shows that p-channel flash memory cell demonstrates better data retention compared to n-channel flash memory cell.
Kata kunci
Jaringan kolaborasi para penulis
40 penulis · 129 tautan kepenulisan bersama · 8 lintas organisasi · menampilkan 40 yang paling banyak terhubung
Arahkan kursor atau ketuk sebuah nama untuk menyorot rekan penulisnya. Klik dua kali untuk membuka halaman penulis.
- University of Technology Malaysia
- Université Rennes 1
- Tun Hussein Onn University of Malaysia
- Afiliasi tidak diketahui
- Organisasi berbeda
- Organisasi sama
- Afiliasi tidak diketahui
- Garis lebih tebal = lebih banyak artikel bersama · lingkaran lebih besar = lebih banyak artikel
Tampilkan sebagai tabel
| Rekan penulis | Organisasi | Artikel bersama |
|---|---|---|
| Mohd Fairus Mohd Yusoff | University of Technology Malaysia | 3 |
| Mohammed Adamu Sule | Afiliasi tidak diketahui | 3 |
| Myrza Akbari | Afiliasi tidak diketahui | 2 |
| Farid Zubir | University of Technology Malaysia | 2 |
| Yanuar Zulardiansyah Arief | University of Technology Malaysia | 1 |
| Nehaluddin Ahmad | University of Technology Malaysia | 1 |
| Izzah Hazirah Zakaria | University of Technology Malaysia | 1 |
| N. A. Awang | University of Technology Malaysia | 1 |
| M. K. A. Rahim | University of Technology Malaysia | 1 |
| Huda A. Majid | Tun Hussein Onn University of Malaysia | 1 |
| Ronan Sauleau | Université Rennes 1 | 1 |
| Johaidah Mistar | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Rahmati Ismail | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Sukardi Putra | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Denny Suheri Abdullah | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Albadi Sinulingga | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Saini Mulia | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Nyak Amir | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Sukiri Sukiri | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Syahruddin Syahruddin | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Cheng Siong Lim | University of Technology Malaysia | 1 |
| Kien Liong Wong | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Wee Khang Chong | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Mu Wen Chuan | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Mohd Shahrizal Bin Rusli | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Nurul Ezaila Binti Alias | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Michael Tan | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Muhammad Akram Mohd Sobri | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Mohammad Kamal A. Rahim | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Muhammad Naeem Iqbal | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Mohamad Rijal Hamid | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
| Huda Bin A Majid | Afiliasi tidak diketahui | 1 |
Afiliasi berasal dari OpenAlex; metadata OAI-PMH jurnal tidak memuatnya. Penulis tanpa ID OpenAlex dicocokkan berdasarkan nama, sehingga dua orang bisa tergabung atau satu orang bisa terpisah.