Melola Discovery

← Melola Discovery

Jurnal

Sifat Listrik Kapasitor MOS dengan Oksida Strontium Titanat (SrTiO3)

Circuit: Jurnal Ilmiah Pendidikan Teknik Elektro · Vol. 1 No. 1 (2015)

DOI
10.22373/crc.v1i1.305
ISSN
2549-3701, 2549-3698
Terbit
2015-09-02
Penerbit
PTE FTK UIN Ar-Raniry
Bahasa
eng

Abstrak

Telah dilakukan pengujian pada semikonduktor kapasitor metal oksida(MOS) dengan bahan oksida Strontium Titanat (SrTiO3) yang disintesis menggunakan metode chemical bath deposition (CBD) dengan substrat silicon kristal. Oksida strontium titanat adalah oksida yang memiliki nilai dielektrisitas yang tinggi. Hasil penelitian menunjukkan bahwa deposisi lapisan oksida berada pada ketebalan 200 nm, dan didapatkan kapasitansi terbesar 304 pF pada oksida dengan ketebalan 33,34 nm dan luas substrat 0,7 cm2 Keyword: Capacitance, Metal Oxide Semiconductor (MOS), Strontium Titanat (SrTiO3), Dielectric Constanta.

Kata kunci

Jaringan kolaborasi para penulis

17 penulis · 30 tautan kepenulisan bersama · 1 lintas organisasi

Arahkan kursor atau ketuk sebuah nama untuk menyorot rekan penulisnya. Klik dua kali untuk membuka halaman penulis.

  • Politeknik Negeri Sriwijaya
  • Politeknik Negeri Ujung Pandang
  • Afiliasi tidak diketahui
  • Organisasi berbeda
  • Organisasi sama
  • Afiliasi tidak diketahui
  • Garis lebih tebal = lebih banyak artikel bersama · lingkaran lebih besar = lebih banyak artikel
Tampilkan sebagai tabel
Rekan penulisOrganisasiArtikel bersama
Malahayati MalahayatiPoliteknik Negeri Sriwijaya2
Hari Anna LastyaAfiliasi tidak diketahui2
Dina Nur Anggraini NingrumAfiliasi tidak diketahui1
Sri Ratna RahayuAfiliasi tidak diketahui1
Nurul HudaAfiliasi tidak diketahui1
Mutia ArdilaAfiliasi tidak diketahui1
Rizky KurniawanAfiliasi tidak diketahui1
Aris MunandarAfiliasi tidak diketahui1
Nurhayati NurhayatiPoliteknik Negeri Ujung Pandang1
Rahmatul UmmiyaAfiliasi tidak diketahui1
Andrika MailiAfiliasi tidak diketahui1
Ghufran Ibnu YasaAfiliasi tidak diketahui1
Zul FajjeriAfiliasi tidak diketahui1
Suci IrawandaAfiliasi tidak diketahui1
Zahriah zahriahAfiliasi tidak diketahui1
Siti HanisahAfiliasi tidak diketahui1

Afiliasi berasal dari OpenAlex; metadata OAI-PMH jurnal tidak memuatnya. Penulis tanpa ID OpenAlex dicocokkan berdasarkan nama, sehingga dua orang bisa tergabung atau satu orang bisa terpisah.

Sumber metadata: OAI-PMH (metadata jurnal) https://jurnal.ar-raniry.ac.id/index.php/circuit/oai, pertama di-harvest 6 Nov 2026, terakhir terlihat 8 Nov 2026.
Metadata asli (oai_dc) 
<oai_dc:dc xmlns="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:oai_dc="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/  http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd">
	<dc:title xml:lang="en">Sifat Listrik Kapasitor MOS dengan Oksida Strontium Titanat (SrTiO3)</dc:title>
	<dc:creator xml:lang="en">Kurniawan, Hadi</dc:creator>
	<dc:subject xml:lang="en">Capacitance</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en">Metal Oxide Semiconductor (MOS)</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en">Strontium Titanat (SrTiO₃)</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en">Dielectric Constanta</dc:subject>
	<dc:description xml:lang="en">Telah dilakukan pengujian pada semikonduktor kapasitor metal oksida(MOS) dengan bahan oksida  Strontium Titanat (SrTiO3) yang disintesis menggunakan metode  chemical bath deposition (CBD) dengan substrat silicon kristal. Oksida strontium titanat adalah oksida yang memiliki nilai dielektrisitas yang tinggi. Hasil penelitian menunjukkan bahwa deposisi lapisan oksida berada pada ketebalan 200 nm, dan didapatkan kapasitansi terbesar 304 pF pada oksida dengan ketebalan 33,34 nm dan luas substrat 0,7 cm2
Keyword : Capacitance, Metal Oxide Semiconductor (MOS), Strontium Titanat (SrTiO3), Dielectric Constanta.</dc:description>
	<dc:publisher xml:lang="en">PTE FTK UIN Ar-Raniry</dc:publisher>
	<dc:date>2015-09-02</dc:date>
	<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
	<dc:type>info:eu-repo/semantics/publishedVersion</dc:type>
	<dc:format>application/pdf</dc:format>
	<dc:identifier>https://jurnal.ar-raniry.ac.id/index.php/circuit/article/view/305</dc:identifier>
	<dc:identifier>10.22373/crc.v1i1.305</dc:identifier>
	<dc:source xml:lang="en">Circuit: Jurnal Ilmiah Pendidikan Teknik Elektro; Vol. 1 No. 1 (2015)</dc:source>
	<dc:source>2549-3701</dc:source>
	<dc:source>2549-3698</dc:source>
	<dc:language>eng</dc:language>
	<dc:relation>https://jurnal.ar-raniry.ac.id/index.php/circuit/article/view/305/281</dc:relation>
	<dc:rights xml:lang="en">Copyright (c) 2015 CIRCUIT</dc:rights>
</oai_dc:dc>