Melola Discovery

← Melola Discovery

Jurnal SINTA 1

MOCVD Growth of GaSb and Al GaSb

Journal of Mathematical and Fundamental Sciences · Vol. 33 No. 1 (2019) · hlm. 5–8

ISSN
2338-5510, 2337-5760
Terbit
2019-01-18
Penerbit
Directorate for Research and Innovation (DRI) ITB
Bahasa
eng

Abstrak

Abstract. GaSb and Al GaSb are narrow gap semiconductors, is of current interest, for its optoelectronic application in the near and medium infra-red region. The large ratio of the ionization coefficient of hole and electrons is key factor for high speed and low noise in APD. In this paper we report the frowth of GaSb and AlGaSb in a home made vertical MOCVD reactor using trymethylgalium (TMGa), trymethylalumunium (TMAl) and tridismethylaminiantimonat (TDMASb) as metalorganic sources. In the reactor we used a flow guide to obtain uniform layers. The effect of growth temperature and the V/III ratio on the structural properties, surface morphology, optical and electronic properties is presented. Penumbuhan GaSb dan AlGaSb dengan MOCVDSari. GaSb dam AlGaSb adalah semikonduktor paduan yang mempunyai selah energi yang sempit, dewasa ini sangat menarik mengingat penerapannya dalam optoelektronika di daerah inframerah yang dekat dan yang menengah. Perbandingan dari koefisien ionisasi dari lubang dan electron merupakan faktor yang menentukan dalam APD yang mempunyai respons yang cepat dan derau yang rendah. Dalam tulisan ini penulis melaporkan penumbujan dari GaSb dan AiGaSb dalam reactor MOCVD yang vertikal yang telah dibangun sendiri dengan menggunakan trimetilgalium (TMGa), trimetilaluminium (TMAI) dan trisdismetilaminoantimonat sebagai sumber-sumber metal-organik. Reaktor tersebut mempergunakan pemandu aliran untuk memperoleh lapisan dengan ketebalan yang uniform. Disini disajikan pengaruh dari temperature penumbuhan dan perbandingan V/III pada sifat-sifat struktur, morfologi permukaan, sifat-sifat optic dan sifat-sifat listriknya.

Kata kunci

Jaringan kolaborasi para penulis

40 penulis · 112 tautan kepenulisan bersama · 11 lintas organisasi · menampilkan 40 yang paling banyak terhubung

Arahkan kursor atau ketuk sebuah nama untuk menyorot rekan penulisnya. Klik dua kali untuk membuka halaman penulis.

  • Universitas Nahdlatul Ulama Blitar
  • State University of Semarang
  • Hasanuddin University
  • IPB University
  • Universitas Balikpapan
  • Universitas Airlangga
  • Afiliasi tidak diketahui
  • Organisasi berbeda
  • Organisasi sama
  • Afiliasi tidak diketahui
  • Garis lebih tebal = lebih banyak artikel bersama · lingkaran lebih besar = lebih banyak artikel
Tampilkan sebagai tabel
Rekan penulisOrganisasiArtikel bersama
Putut MarwotoState University of Semarang7
R.A. SaniAfiliasi tidak diketahui6
M. BudimanAfiliasi tidak diketahui6
A SubagioAfiliasi tidak diketahui5
Ani RusilowatiState University of Semarang4
Budi AstutiAfiliasi tidak diketahui4
Dwi YuliantiState University of Semarang4
Sulhadi SulhadiAfiliasi tidak diketahui4
Irzaman IrzamanIPB University4
Arif WidiyatmokoState University of Semarang3
Z. JamalAfiliasi tidak diketahui3
Darwin DarwinAfiliasi tidak diketahui2
Roziqin RoziqinAfiliasi tidak diketahui2
Sugiyanto SugiyantoAfiliasi tidak diketahui2
NUR HAMIDAfiliasi tidak diketahui2
Kartono KartonoUniversitas Airlangga2
St. Budi WaluyaAfiliasi tidak diketahui2
Sunyoto Eko NugrohoState University of Semarang2
Ernawaty UsmanAfiliasi tidak diketahui2
Rachmawati RachmawatiAfiliasi tidak diketahui2
Herman BudiyonoAfiliasi tidak diketahui2
H. DarmasetiawanAfiliasi tidak diketahui2
H. HardhienataAfiliasi tidak diketahui2
M. HikamAfiliasi tidak diketahui2
Susi DarmawaningsihUniversitas Nahdlatul Ulama Blitar1
Sulis Ni’matun NaharinUniversitas Nahdlatul Ulama Blitar1
Wiwit Wiji LestariUniversitas Nahdlatul Ulama Blitar1
Rizka Rizqi RobbyUniversitas Nahdlatul Ulama Blitar1
Rahayu Sri WaskitoningtyasUniversitas Balikpapan1
Casmudi CasmudiAfiliasi tidak diketahui1
La Ode SamlanAfiliasi tidak diketahui1
Visman VismanAfiliasi tidak diketahui1
Sugianto SugiantoHasanuddin University1
Riswal KarammaHasanuddin University1
Chairul PaotonanAfiliasi tidak diketahui1
Rita Tahir LopaAfiliasi tidak diketahui1

Afiliasi berasal dari OpenAlex; metadata OAI-PMH jurnal tidak memuatnya. Penulis tanpa ID OpenAlex dicocokkan berdasarkan nama, sehingga dua orang bisa tergabung atau satu orang bisa terpisah.

Sumber metadata: OAI-PMH (metadata jurnal) https://journals.itb.ac.id/index.php/jmfs/oai, pertama di-harvest 9 Nov 2026, terakhir terlihat 9 Nov 2026.
Metadata asli (oai_dc) 
<oai_dc:dc xmlns="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:oai_dc="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/  http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd">
	<dc:title xml:lang="en-US">MOCVD Growth of GaSb and Al GaSb</dc:title>
	<dc:creator>Sustini, E.</dc:creator>
	<dc:creator>Sugianto, Sugianto</dc:creator>
	<dc:creator>Arifin, P.</dc:creator>
	<dc:creator>Barmawi, M.</dc:creator>
	<dc:subject xml:lang="en-US">GaSb</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">AlGaSb</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">MOCVD</dc:subject>
	<dc:description xml:lang="en-US">Abstract. GaSb and Al GaSb are narrow gap semiconductors, is of current interest, for its optoelectronic application in the near and medium infra-red region. The large ratio of the ionization coefficient of hole and electrons is key factor for high speed and low noise in APD. In this paper we report the frowth of GaSb and AlGaSb in a home made vertical MOCVD reactor using trymethylgalium (TMGa), trymethylalumunium (TMAl) and tridismethylaminiantimonat (TDMASb) as metalorganic sources. In the reactor we used a flow guide to obtain uniform layers. The effect of growth temperature and the V/III ratio on the structural properties, surface morphology, optical and electronic properties is presented. Penumbuhan GaSb dan AlGaSb dengan MOCVDSari. GaSb dam AlGaSb adalah semikonduktor paduan yang mempunyai selah energi yang sempit, dewasa ini sangat menarik mengingat penerapannya dalam optoelektronika di daerah inframerah yang dekat dan yang menengah. Perbandingan dari koefisien ionisasi dari lubang dan electron merupakan faktor yang menentukan dalam APD yang mempunyai respons yang cepat dan derau yang rendah. Dalam tulisan ini penulis melaporkan penumbujan dari GaSb dan AiGaSb dalam reactor MOCVD yang vertikal yang telah dibangun sendiri dengan menggunakan trimetilgalium (TMGa), trimetilaluminium (TMAI) dan trisdismetilaminoantimonat sebagai sumber-sumber metal-organik. Reaktor tersebut mempergunakan pemandu aliran untuk memperoleh lapisan dengan ketebalan yang uniform. Disini disajikan pengaruh dari temperature penumbuhan dan perbandingan V/III pada sifat-sifat struktur, morfologi permukaan, sifat-sifat optic dan sifat-sifat listriknya.</dc:description>
	<dc:publisher xml:lang="en-US">Directorate for Research and Innovation (DRI) ITB</dc:publisher>
	<dc:date>2019-01-18</dc:date>
	<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
	<dc:type>info:eu-repo/semantics/publishedVersion</dc:type>
	<dc:format>application/pdf</dc:format>
	<dc:identifier>https://journals.itb.ac.id/index.php/jmfs/article/view/9235</dc:identifier>
	<dc:source xml:lang="en-US">Journal of Mathematical and Fundamental Sciences; Vol. 33 No. 1 (2001); 5-8</dc:source>
	<dc:source>2338-5510</dc:source>
	<dc:source>2337-5760</dc:source>
	<dc:language>eng</dc:language>
	<dc:relation>https://journals.itb.ac.id/index.php/jmfs/article/view/9235/3492</dc:relation>
</oai_dc:dc>