Melola Discovery

← Melola Discovery

Jurnal SINTA 1

Epitaxy of GaN Film by Hydrogen Plasma Assisted MOCVD

Journal of Mathematical and Fundamental Sciences · Vol. 33 No. 1 (2019) · hlm. 1–4

ISSN
2338-5510, 2337-5760
Terbit
2019-01-18
Penerbit
Directorate for Research and Innovation (DRI) ITB
Bahasa
eng

Abstrak

Abstract. We have studied the effect of hydrogen plasma on GaN film, grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). GaN films grown on a sapphire (0001) without the buffer layer have a polycrystalline structure. While films grown using the buffer layer tends to have a single crystal orientation. We have tried to increase the growth rate by varying the TMGa:N ratio. We found that the growth rate of the films were 450 nm/h with TMGa:N ratio of 1:600. However the films show a polycrystalline structure. Using hydrogen plasma during the growth, we have shown by XRD analysis that the films structure was highly oriented in (0002) plane parallel to substrate and the crystalline quality is improved. Epitaksi Film GaN dengan MOCVD Berbatuan Plasma HidrogenSari. Telah dipelajari efek dari plasma hydrogen pada film Gan, yang ditumbuhkan dengan MOCVD yang dibantu dengan plasma. Film GaN ditumbuhkan di atas safir (0001) tanpa bantuan lapisan penyangga mempunyai struktur polikristalin. Sedangkan film yang ditumbuhkan dengan bantuan lapisan penyangga mempunyai kecenderungan membentuk Kristal dengan orientasi tunggal. Telah dicoba untuk menaikkan kecepatan pertumbuhan Kristal dengan mengubah-ubah perbandingan TMGa:N. Telah diperoleh kecepatan pertumbuhannya menjadi 450nm/jam bila perbandingan tersebut 1:600, akan tetapi strukturnya memperlihatkan sifat polikristal. Dengan bantuan plasma hidrogen analisis XRD menunjukkan bahwa orientasi film sejajar dengan arah (0002) dan sifat kristalnya dapat diperbaiki.

Kata kunci

Jaringan kolaborasi para penulis

40 penulis · 116 tautan kepenulisan bersama · 22 lintas organisasi · menampilkan 40 yang paling banyak terhubung

Arahkan kursor atau ketuk sebuah nama untuk menyorot rekan penulisnya. Klik dua kali untuk membuka halaman penulis.

  • State University of Semarang
  • Universitas Nahdlatul Ulama Blitar
  • Hasanuddin University
  • IAIN Syekh Nurjati Cirebon
  • Universitas Balikpapan
  • Politeknik Negeri Subang
  • Afiliasi tidak diketahui
  • Organisasi berbeda
  • Organisasi sama
  • Afiliasi tidak diketahui
  • Garis lebih tebal = lebih banyak artikel bersama · lingkaran lebih besar = lebih banyak artikel
Tampilkan sebagai tabel
Rekan penulisOrganisasiArtikel bersama
Putut MarwotoState University of Semarang4
Dwi YuliantiState University of Semarang3
Darwin DarwinAfiliasi tidak diketahui2
Ani RusilowatiState University of Semarang2
Roziqin RoziqinAfiliasi tidak diketahui2
Sugiyanto SugiyantoState University of Semarang2
Budi AstutiAfiliasi tidak diketahui2
Kartono KartonoState University of Semarang2
St. Budi WaluyaAfiliasi tidak diketahui2
sunyoto eko nugrohoState University of Semarang2
Susi DarmawaningsihUniversitas Nahdlatul Ulama Blitar1
Sulis Ni’matun NaharinUniversitas Nahdlatul Ulama Blitar1
Wiwit Wiji LestariUniversitas Nahdlatul Ulama Blitar1
Rizka Rizqi RobbyUniversitas Nahdlatul Ulama Blitar1
Rahayu Sri WaskitoningtyasUniversitas Balikpapan1
Casmudi CasmudiAfiliasi tidak diketahui1
La Ode SamlanAfiliasi tidak diketahui1
Visman VismanAfiliasi tidak diketahui1
Sugianto SugiantoState University of Semarang1
Riswal KarammaHasanuddin University1
Chairul PaotonanAfiliasi tidak diketahui1
Rita Tahir LopaAfiliasi tidak diketahui1
Chairul PaotonanHasanuddin University1
Rita Tahir LopaHasanuddin University1
Arif WidiyatmokoState University of Semarang1
Della PuspitasariAfiliasi tidak diketahui1
Nur Miftachul ArifaAfiliasi tidak diketahui1
Tri Sri Noor AsihAfiliasi tidak diketahui1
Siti Harnina BintariAfiliasi tidak diketahui1
Masturi MasturiState University of Semarang1
Susilawati SusilawatiPoliteknik Negeri Subang1
Wahyu HardyantoAfiliasi tidak diketahui1
Sutikno SutiknoAfiliasi tidak diketahui1

Afiliasi berasal dari OpenAlex; metadata OAI-PMH jurnal tidak memuatnya. Penulis tanpa ID OpenAlex dicocokkan berdasarkan nama, sehingga dua orang bisa tergabung atau satu orang bisa terpisah.

Sumber metadata: OAI-PMH (metadata jurnal) https://journals.itb.ac.id/index.php/jmfs/oai, pertama di-harvest 9 Nov 2026, terakhir terlihat 9 Nov 2026.
Metadata asli (oai_dc) 
<oai_dc:dc xmlns="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:oai_dc="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/  http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd">
	<dc:title xml:lang="en-US">Epitaxy of GaN Film by Hydrogen Plasma Assisted MOCVD</dc:title>
	<dc:creator>Sugianto, Sugianto</dc:creator>
	<dc:creator>Subagio, A.</dc:creator>
	<dc:creator>Erzam, Erzam</dc:creator>
	<dc:creator>Sani, R.A.</dc:creator>
	<dc:creator>Budiman, M.</dc:creator>
	<dc:creator>Arifin, P.</dc:creator>
	<dc:creator>Barmawi, M.</dc:creator>
	<dc:subject xml:lang="en-US">GaN</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">plasma-assisted MOCVD</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">buffer layer</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">hydrogen plasma</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">single orientation</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">MOCVD berbantuan plasma</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">lapisan penyangga</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">plasma hidrogen</dc:subject>
	<dc:subject xml:lang="en-US">orientasi tunggal</dc:subject>
	<dc:description xml:lang="en-US">Abstract. We have studied the effect of hydrogen plasma on GaN film, grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). GaN films grown on a sapphire (0001) without the buffer layer have a polycrystalline structure. While films grown using the buffer layer tends to have a single crystal orientation. We have tried to increase the growth rate by varying the TMGa:N ratio. We found that the growth rate of the films were 450 nm/h with TMGa:N ratio of 1:600. However the films show a polycrystalline structure. Using hydrogen plasma during the growth, we have shown by XRD analysis that the films structure was highly oriented in (0002) plane  parallel to substrate and the crystalline quality is improved. Epitaksi Film GaN dengan MOCVD Berbatuan Plasma HidrogenSari. Telah dipelajari efek dari plasma hydrogen pada film Gan, yang ditumbuhkan dengan MOCVD yang dibantu dengan plasma. Film GaN ditumbuhkan di atas safir (0001) tanpa bantuan lapisan penyangga mempunyai struktur polikristalin. Sedangkan film yang ditumbuhkan dengan bantuan lapisan penyangga mempunyai kecenderungan membentuk Kristal dengan orientasi tunggal. Telah dicoba untuk menaikkan kecepatan pertumbuhan Kristal dengan mengubah-ubah perbandingan TMGa:N. Telah diperoleh kecepatan pertumbuhannya menjadi 450nm/jam bila perbandingan tersebut 1:600, akan tetapi strukturnya memperlihatkan sifat polikristal. Dengan bantuan plasma hidrogen analisis XRD menunjukkan bahwa orientasi film sejajar dengan arah (0002) dan sifat kristalnya dapat diperbaiki.</dc:description>
	<dc:publisher xml:lang="en-US">Directorate for Research and Innovation (DRI) ITB</dc:publisher>
	<dc:date>2019-01-18</dc:date>
	<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
	<dc:type>info:eu-repo/semantics/publishedVersion</dc:type>
	<dc:format>application/pdf</dc:format>
	<dc:identifier>https://journals.itb.ac.id/index.php/jmfs/article/view/9238</dc:identifier>
	<dc:source xml:lang="en-US">Journal of Mathematical and Fundamental Sciences; Vol. 33 No. 1 (2001); 1-4</dc:source>
	<dc:source>2338-5510</dc:source>
	<dc:source>2337-5760</dc:source>
	<dc:language>eng</dc:language>
	<dc:relation>https://journals.itb.ac.id/index.php/jmfs/article/view/9238/3494</dc:relation>
</oai_dc:dc>