PENGARUH ENKAPSULASI SILIKON ATAU GERMANIUM PADA BNNT TERHADAP PARAMETER NMR DENGAN DFT

Abstract

Boron nitrite nanotube (BNNT) merupakan salah satu nanomaterial yang cukup menjanjikan sebagai bahan alternatif pembuatan peralatan elektronik dan memori, tetapi BNNT mempunyai sifat semikonduktor dengan band gap lebar yaitu 5,5 eV. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh enkapsulasi unsur Si dan Ge pada sifat BNNT menggunakan metode teori fungsi kerapatan (DFT) dalam program Gaussian 03 W dan diharapkan dapat mengubah sifat BNNT menjadi ferromagnetik. Pada penelitian ini, struktur BNNT (5,0) dengan repetisi 2 dibuat dengan program Material Studio 4.4, kemudian dioptimasi dengan program Gaussian 03 W. setelah dioptimasi, BNNT mengenkapsulasi unsur Si dan Ge di tengah-tengah rongga dan dioptimasi kembali. Selanjutnya dihutung NMR BNNT sebelum dan sesudah mengenkapsulasi Si dan Ge. Berdasarkan hasil penelitian diketahui bahwa BNNT yang mengenkapsulasi Si atau Ge strukturnya yaitu -4883577,799 kJ/mol dan -9525836,636 kJ/mol lebih stabil daripada struktur BNNT awal yaitu -4132503,361 kJ/mol. Besar medan magnet untuk BNNT yang mengenkapsulasi Si atau Ge yaitu 478,89414 T dan 474,30441 T lebih kecil daripada BNNT awal yaitu 489,47913 T, sehingga BNNT yang mengenkapsulasi Si atau Ge tidak dapat dijadikan sebagai bahan dasar pembuatan memori magnetik.