Melola Discovery

← Melola Discovery

Jurnal

PENGARUH ENKAPSULASI LOGAM Ga DAN As TERHADAP CELAH PITA BORON NITRIDE NANOTUBE(4,4)

Indonesian Journal of Chemical Science · Vol. 2 No. 1 (2013)

DOI
10.15294/ijcs.v2i1.1207
ISSN
2502-6844, 2252-6951
Terbit
2013-05-01
Penerbit
Universitas Negeri Semarang
Bahasa
eng

Abstrak

Tujuan utama dari penelitian ini adalah untuk menurunkan nilai celah pita BNNT sehingga diperoleh BNNT yang bersifat semikonduktor. BNNT yang bersifat semikonduktor ini diharapkan bisa menjadi alternatif bagi CNT. Untuk menurunkan nilai celah pita BNNT, pada penelitian ini dilakukan enkapsulasi Galium (Ga) dan Arsen (As). Penelitian ini dilakukan menggunakan metode DFT/B3LYP menggunakan paket Gaussian® 03W dan hasilnya dianalisis menggunakan GaussSum 2.2. Penelitian ini menggunakan BNNT(4,4) yang terdiri dari 4 repetisi cincin BN. Penurunan celah pita diukur menggunakan metode DFT/B3LYP dengan berbagai basis set yakni STO-3G, 3-21G, dan 6-311G. Perhitungan menggunakan STO-3G menunjukan bahwa celah pita dari BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,10 eV, 2,35 eV, dan 2,99 eV. Perhitungan yang menggunakan 3-21G menunjukan celah pita dari BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,04 eV, 2,31 eV, dan 2,88 eV. Perhitungan menggunakan 6-311G juga menunjukan hasil yang identik, celah pita BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,10 eV, 2,25 eV, dan 2,55 eV. Dari penelitian ini dapat disimpulkan bahwa enkapsulasi Ga dan As pada BNNT(4,4) dapat menurunkan nilai celah pita dari BNNT(4,4).

Jaringan kolaborasi para penulis

40 penulis · 192 tautan kepenulisan bersama · 11 lintas organisasi · menampilkan 40 yang paling banyak terhubung

Arahkan kursor atau ketuk sebuah nama untuk menyorot rekan penulisnya. Klik dua kali untuk membuka halaman penulis.

  • State University of Semarang
  • Universitas Islam Negeri Sayyid Ali Rahmatullah Tulungagung
  • University of Malaya
  • Universiti Teknologi MARA
  • Afiliasi tidak diketahui
  • Organisasi berbeda
  • Organisasi sama
  • Afiliasi tidak diketahui
  • Garis lebih tebal = lebih banyak artikel bersama · lingkaran lebih besar = lebih banyak artikel
Tampilkan sebagai tabel
Rekan penulisOrganisasiArtikel bersama
Eko Budi SusatyoAfiliasi tidak diketahui12
Woro SumarniState University of Semarang7
Endang SusilaningsihState University of Semarang7
Kasmui KasmuiState University of Semarang6
Nuni WidiartiState University of Semarang6
Sri HaryaniAfiliasi tidak diketahui6
Mohammad AlauhdinAfiliasi tidak diketahui5
Ella KusumastutiAfiliasi tidak diketahui4
Sri WardaniState University of Semarang4
Jumaeri JumaeriAfiliasi tidak diketahui4
SRI WAHYUNIAfiliasi tidak diketahui4
Wisnu SunartoAfiliasi tidak diketahui3
Sudarmin SudarminAfiliasi tidak diketahui3
Sigit PriatmokoState University of Semarang3
Sri Susilogati SumartiState University of Semarang2
Nanik WijayatiState University of Semarang2
Latifah LatifahAfiliasi tidak diketahui2
Triastuti SulistyaningsihAfiliasi tidak diketahui2
Sri MursitiAfiliasi tidak diketahui2
Sri NurhayatiState University of Semarang2
Subiyanto Hadi SaputroAfiliasi tidak diketahui2
Sudarmin SudarminState University of Semarang1
Dwi YuliantiState University of Semarang1
Yasmin AzzahraState University of Semarang1
Ratna Kumala DewiUniversitas Islam Negeri Sayyid Ali Rahmatullah Tulungagung1
Fonny Dameaty HutagalungUniversity of Malaya1
Sri HaryaniState University of Semarang1
Hadariah BahronUniversiti Teknologi MARA1
SudarminState University of Semarang1
Mirza PahleviState University of Semarang1
Siti Herlina DewiState University of Semarang1
Rr. Sri Endang PujiastutiAfiliasi tidak diketahui1
Widhi MahatmantiAfiliasi tidak diketahui1
Ina AnggreaniAfiliasi tidak diketahui1
Elvara Siti AzzahraAfiliasi tidak diketahui1
Annisa SetyawatiAfiliasi tidak diketahui1
Ayu Anisa LarasatiAfiliasi tidak diketahui1

Afiliasi berasal dari OpenAlex; metadata OAI-PMH jurnal tidak memuatnya. Penulis tanpa ID OpenAlex dicocokkan berdasarkan nama, sehingga dua orang bisa tergabung atau satu orang bisa terpisah.

Sumber metadata: OAI-PMH (metadata jurnal) https://journal.unnes.ac.id/sju/index.php/ijcs/oai, pertama di-harvest 5 Nov 2026, terakhir terlihat 5 Nov 2026.
Metadata asli (oai_dc) 
<oai_dc:dc xmlns="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:oai_dc="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/  http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd">
	<dc:title xml:lang="en-US">PENGARUH ENKAPSULASI LOGAM Ga DAN As TERHADAP CELAH PITA BORON NITRIDE NANOTUBE(4,4)</dc:title>
	<dc:creator>Andriana, Andriana</dc:creator>
	<dc:creator>Prasetya, Agung Tri</dc:creator>
	<dc:creator>Harjito, Harjito</dc:creator>
	<dc:description xml:lang="en-US">Tujuan utama dari penelitian ini adalah untuk menurunkan nilai celah pita BNNT sehingga diperoleh BNNT yang bersifat semikonduktor. BNNT yang bersifat semikonduktor ini diharapkan bisa menjadi alternatif bagi CNT. Untuk menurunkan nilai celah pita BNNT, pada penelitian ini dilakukan enkapsulasi Galium (Ga) dan Arsen (As). Penelitian ini dilakukan menggunakan metode DFT/B3LYP menggunakan paket Gaussian® 03W dan hasilnya dianalisis menggunakan GaussSum 2.2. Penelitian ini menggunakan BNNT(4,4) yang terdiri dari 4 repetisi cincin BN. Penurunan celah pita diukur menggunakan metode DFT/B3LYP dengan berbagai basis set yakni STO-3G, 3-21G, dan 6-311G. Perhitungan menggunakan STO-3G menunjukan bahwa celah pita dari BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,10 eV, 2,35 eV, dan 2,99 eV.  Perhitungan yang menggunakan 3-21G menunjukan celah pita dari BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,04 eV, 2,31 eV, dan 2,88 eV. Perhitungan menggunakan 6-311G  juga menunjukan hasil yang identik, celah pita BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,10 eV, 2,25 eV, dan 2,55 eV. Dari penelitian ini dapat disimpulkan bahwa enkapsulasi Ga dan As pada BNNT(4,4) dapat menurunkan nilai celah pita dari BNNT(4,4).</dc:description>
	<dc:publisher xml:lang="en-US">Universitas Negeri Semarang</dc:publisher>
	<dc:date>2013-05-01</dc:date>
	<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
	<dc:type>info:eu-repo/semantics/publishedVersion</dc:type>
	<dc:type xml:lang="en-US">Peer-reviewed Article</dc:type>
	<dc:format>application/pdf</dc:format>
	<dc:identifier>https://journal.unnes.ac.id/sju/ijcs/article/view/1207</dc:identifier>
	<dc:identifier>10.15294/ijcs.v2i1.1207</dc:identifier>
	<dc:source xml:lang="en-US">Indonesian Journal of Chemical Science; Vol 2 No 1 (2013)</dc:source>
	<dc:source>2502-6844</dc:source>
	<dc:source>2252-6951</dc:source>
	<dc:source>10.15294/ijcs.v2i1</dc:source>
	<dc:language>eng</dc:language>
	<dc:relation>https://journal.unnes.ac.id/sju/ijcs/article/view/1207/1159</dc:relation>
</oai_dc:dc>